金融界2025年7月1日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“用于选择性沉积含金属材料的方法和组件”的专利，公开号CN120231010A，申请日期为2024年12月金属材料。
专利摘要显示，本公开涉及用于通过包括原子层沉积的循环气相沉积技术在半导体衬底的不同表面上选择性地沉积含金属材料比如金属氧化物的方法和组件金属材料。使用金属前体沉积含金属材料，金属前体具有结合到乙脒基配体的金属原子，例如二烷基乙脒基配体。根据过程流程，含金属材料可以沉积在相对于电介质表面的金属表面上，或者相对于金属表面的电介质表面上。本公开还涉及根据本文公开的方法沉积的层、结构和半导体器件，以及配置和布置成执行所述方法的半导体处理组件。
来源：金融界